Повідомляється про важливій перевазі Galaxy Note 9 над Galaxy S9

Samsung не встигла представити ще навіть Galaxy Note 8, а в Мережі вже з’явилося перше повідомлення про те, що стане відрізнятися Galaxy Note 9. Моделі флагманських лінійки Galaxy S і Galaxy Note одного року випуску зазвичай подібні один одному по продуктивності. Але в 2018 році компанією може бути застосований абсолютно новий, раніше не властивий флагманським девайсів Samsung технічний підхід.

Традиційно південнокорейський технологічний гігант випускає моделі Galaxy S і Galaxy Note протягом одного календарного року і на базі подібних чіпсетів. Так було дотепер так і, ймовірно, буде ще і в 2017 році. Як повідомляється з посиланням на «одного інсайдера індустрії», Samsung Galaxy Note 9 стане базуватися на зовсім іншому чіпсеті, ніж Galaxy S9 і Galaxy S9 Plus, які також побачать світло в 2018 році. Очікується, що чіпсетом моделей Galaxy S9 стане Exynos 9810, який виготовлять у відповідності з 10-нанометровим технологічним процесом.

Тим часом апаратна платформа Galaxy Note 9 буде виготовлена вже відповідно з більш прогресивним технологічним процесом — 8-нанометровим або навіть 7-нанометровим. Згідно з повідомленням того ж «інсайдера», назва «Exynos 9810» не є остаточним і може змінитися під час комерційного дебюту чіпа — навесні 2018 року.

Раніше в червні 2017 року з посиланням на інший «джерело» вже повідомлялося, що чіпсет Exynos 9810, яким оснастять Galaxy S9 і Galaxy S9 отримає підтримку CDMA. Розглянута апаратна платформа, як очікується, стане другим чіпсетом компанії Samsung, що виготовляється відповідно з 10-нанометровим технологічним процесом FinFET. Але не виключається, що саме він стане й останнім таким чипом, оскільки і Qualcomm і TSMC працюють над 7-нанометровими чіпсетами і лідер ринку Android-смартфонів, яким не перший рік є компанія Samsung, зрозуміло, також не побажає відставати.

7-нанометровий технологічний процес дозволить розмістити на одиницю площі більше транзисторів, ніж 10-нанометровий. Це означає, що 7-нанометрове «залізо» (вірніше, «кремній») виявиться більш ефективним. Залишається лише подивитися, чи перейде компанія Samsung від 10-нанометрового технологічного процесу до 7-нанометровому протягом одного лише 2018 року. Втім, навіть застосування в прийдешньому фаблете Galaxy Note 9 «8-нанометрового» чіпсету буде означати, що нове повідомлення виявилося вірним.

Згідно з існуючими на даний момент у Мережі чуток, версія Galaxy Note 8, який буде випущений вже в поточному році, для ринку Сполучених Штатів стане базуватися на чіпсеті Snapdragon 836, який замінить Snapdragon 835, знайшов собі застосування в смартфонах модельного ряду Galaxy S8.

При цьому повідомляється, що обидві лінійки будуть характеризуватися приблизно однаковою продуктивністю, подібно до того, як це і було в попередні роки, коли південнокорейський технологічний гігант також радував користувачів флагманськими девайсами двох своїх найбільш відомих лінійок.

Якщо ж у наступному році Galaxy Note 9 буде укомплектований чіпсетом, виготовленим відповідно до більш прогресивним технологічним процесом, ніж моделі лінійки Galaxy S9, то подібне рішення, ймовірно, призведе до того, що між моделями лінійки Galaxy S і Galaxy Note одного року випуску стане спостерігатися помітне розходження в продуктивності.

Чи є для користувачів «нанометровий» показник технологічного процесу чіпсету важливою характеристикою смартфона?

За матеріалами androidheadlines.com